北京時(shí)間3月8日上午消息，半導(dǎo)體價(jià)格數(shù)據(jù)提供商DRAMeXchange發(fā)布的最新報(bào)告顯示，2015年第四季度全球NAND閃存行業(yè)營(yíng)收為83.07億美元，同比減少5%，環(huán)比減少2.3%。

　　三星第四季度NAND閃存營(yíng)收達(dá)到27.9億美元，環(huán)比增長(zhǎng)4.2%，全球市場(chǎng)份額為33.6%，高于第三季度的31.5%。

　　位居全球第二的東芝當(dāng)季營(yíng)收為15.5億美元，環(huán)比下滑11%，同比減少19%。

　　排名第三的閃迪環(huán)比增長(zhǎng)0.1%，達(dá)到13.1億美元。

　　排名第四的美光科技當(dāng)季NAND閃存營(yíng)收環(huán)比下滑2%，同比下滑3%，至11.54億美元，其第四季度市場(chǎng)份額為13.9%。

　　位列第五的SK海力士NAND閃存營(yíng)收環(huán)比下滑9%，同比下滑16%，至8.41億美元，市場(chǎng)份額為10.1%。

　　英特爾排名第六，市場(chǎng)份額為8%。

　　整個(gè)2015年，全球NAND閃存行業(yè)營(yíng)收為331億美元，2014年為322億美元，2013年為291億美元。從收入角度來看，該行業(yè)增長(zhǎng)并不快。盡管容量增速相對(duì)較快，但由于供應(yīng)也在不斷增加，導(dǎo)致同期的價(jià)格不斷下滑。

　　DRAMeXchange研究總監(jiān)肖恩·楊(Sean
Yang)表示：“除了面臨價(jià)格的快速下滑外，廠商還在制造工藝上遭遇瓶頸。開發(fā)和生產(chǎn)3D-NAND閃存芯片的廠商都在成品率上遇到問題，只有三星例外。”

　　SK海力士正在韓國北部的清州工廠建設(shè)新的3D-NAND閃存工廠，耗費(fèi)約125億美元。該工廠將于2018年動(dòng)工，2019年完工。