如果說2016年是驍龍820全面普及和驍龍821緩緩而來的一年，那么2017很有可能就是驍龍835稱霸的一年。去年11月，高通公司表示將要推出采用10nm制程工藝的驍龍835處理器，據悉這款產品相比前代旗艦在性能上有27%提升，但功耗卻下降了40%，這里指的前代旗艦，很有可能就是指驍龍821。

高通驍龍系列芯片

　　外界猜測有關于這款處理器的消息最早將會與即將開始的CES展會上流出，不過現在外媒則提前曝光了驍龍835的規格。芯片核心方面，將采用八核心設計(4×2.45GHz大核、4×1.9GHz小核)，大小核均為Kryo280架構，GPU為Adreno
540，支持4K屏、UFS 2.1、雙攝以及LPDDR4x四通道內存，整合了Cat.16基帶。支持Quick Charge 4.0快速充電技術，基于三星10nm
FinFET工藝打造。

驍龍835

　　此外，驍龍835將相比前輩們更好的支持于已經興起的VR設備。而最為搶眼的充電方面，QuickCharge
4.0能實現充電五分鐘，提供5小時續航力、15分鐘內將設備的電量充到50%，這一數據目前看來非常驚人。

LG G6渲染圖

　　至于第一款搭載這顆芯片的智能手機會花落誰家，目前局勢尚不清晰，外界猜測三星S8、LG G6以及小米6都有很大的可能成為這款處理器的首發產品。